2SJ665-DL-E中文资料参数规格
技术参数
通道数 1
耗散功率 1.65W Ta, 65W Tc
漏源极电压Vds 100 V
输入电容Ciss 4200pF @20VVds
耗散功率Max 1.65W Ta, 65W Tc
封装参数
安装方式 Surface Mount
封装 TO-262-3
外形尺寸
封装 TO-262-3
物理参数
工作温度 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
2SJ665-DL-E引脚图与封装图
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在线购买2SJ665-DL-E
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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2SJ665-DL-E | ON Semiconductor 安森美 | P-Channel Power MOSFET, -100V, -27A, 77mΩ, TO-263-2L | 搜索库存 |