STS10DN3LH5、STS8DN3LLH5对比区别

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型号 STS10DN3LH5 STS8DN3LLH5

描述 STS10DN 系列 双 N-沟道 30 V 0.019 Ohm 10 A 功率 MosFet - SOIC-8STS8DN 系列 双通道 30 V 10 A 19 mOhm 功率 Mosfet - SOIC-8

数据手册 --

制造商 ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体)

分类 MOS管MOS管

安装方式 Surface Mount Surface Mount

引脚数 8 8

封装 SOIC-8 SOIC-8

通道数 2 -

针脚数 8 -

漏源极电阻 0.019 Ω -

极性 N-CH N-CH

耗散功率 2.5 W 2.7 W

阈值电压 1 V -

漏源极电压(Vds) 30 V 30 V

连续漏极电流(Ids) 10A 10A

上升时间 22 ns 4.2 ns

输入电容(Ciss) 475pF @25V(Vds) 724pF @25V(Vds)

额定功率(Max) 2.5 W 2.7 W

下降时间 2.8 ns 3.5 ns

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 2500 mW 2700 mW

封装 SOIC-8 SOIC-8

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free

香港进出口证 - NLR