IXFH12N90、STW11NK90Z、IRFPF50PBF对比区别

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型号 IXFH12N90 STW11NK90Z IRFPF50PBF

描述 TO-247AD N-CH 900V 12ASTMICROELECTRONICS  STW11NK90Z  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 9.2 A, 900 V, 0.82 ohm, 10 V, 3.75 V功率MOSFET Power MOSFET

数据手册 ---

制造商 IXYS Semiconductor ST Microelectronics (意法半导体) VISHAY (威世)

分类 MOS管MOS管MOS管

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 3 3 3

封装 TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3

针脚数 - 3 3

漏源极电阻 1.1 Ω 0.82 Ω 1.6 Ω

极性 N-Channel N-Channel N-Channel

耗散功率 300 W 200 W 190 W

阈值电压 - 3.75 V 4 V

漏源极电压(Vds) 900 V 900 V 900 V

连续漏极电流(Ids) 12.0 A 9.2A 6.70 A

上升时间 12 ns 19 ns 34 ns

输入电容(Ciss) 4200pF @25V(Vds) 3000pF @25V(Vds) 2900pF @25V(Vds)

额定功率(Max) 300 W 200 W 190 W

下降时间 18 ns 50 ns 37 ns

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) 55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 300W (Tc) 200W (Tc) 190 W

额定电压(DC) 900 V - 900 V

额定电流 12.0 A - 6.70 A

额定功率 - - 190 W

漏源击穿电压 900 V - 900 V

通道数 1 - -

长度 16.26 mm 15.75 mm 15.87 mm

宽度 5.3 mm 5.15 mm 5.31 mm

高度 21.46 mm 20.15 mm 20.7 mm

封装 TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

材质 Silicon - -

产品生命周期 Not Recommended for New Designs Active Active

包装方式 Tube Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - No SVHC -