IXTA130N10T、STH130N10F3-2、IXTQ130N10T对比区别

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型号 IXTA130N10T STH130N10F3-2 IXTQ130N10T

描述 Power Field-Effect Transistor,N沟道100 V， 7.8英里©典型值， 120一STripFETâ ?? ¢ III功率MOSFET采用TO- 220FP ， I²PAKFP ， H²PAK - 2和TO- 220封装 N-channel 100 V, 7.8 mΩ typ., 120 A STripFET™III Power MOSFET in TO-220FP, I²PAKFP, H²PAK-2 and TO-220 packagesN沟道 100V 130A

数据手册 ---

制造商 Littelfuse (力特) ST Microelectronics (意法半导体) IXYS Semiconductor

分类 MOS管MOS管

安装方式 - Surface Mount Through Hole

引脚数 - 3 3

封装 - TO-263-3 TO-3-3

耗散功率 - 250 W 360W (Tc)

漏源极电压(Vds) - 100 V 100 V

上升时间 - 38 ns 47 ns

输入电容(Ciss) - 3305pF @25V(Vds) 5080pF @25V(Vds)

额定功率(Max) - - 360 W

下降时间 - 7.2 ns 28 ns

工作温度(Max) - 175 ℃ 175 ℃

工作温度(Min) - -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) - 250W (Tc) 360W (Tc)

漏源极电阻 - 9.3 mΩ -

漏源击穿电压 - 100 V -

封装 - TO-263-3 TO-3-3

工作温度 - -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 - Tape & Reel (TR) Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 - Lead Free Lead Free