锐单电子商城 , 一站式电子元器件采购平台!
  • 电话:400-990-0325

STP4NK50ZD

STP4NK50ZD

数据手册.pdf

N 通道 MDmesh™ SuperMESH™,250V 至 650V,STMicroelectronics### MOSFET 晶体管,STMicroelectronics

N 通道 MDmesh™ SuperMESH™,250V 至 650V,STMicroelectronics

### MOSFET ,STMicroelectronics


得捷:
MOSFET N-CH 500V 3A TO220AB


立创商城:
N沟道 500V 3A


欧时:
STMicroelectronics MDmesh, SuperMESH 系列 Si N沟道 MOSFET STP4NK50ZD, 3 A, Vds=500 V, 3引脚 TO-220封装


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 500V 3A 3-Pin3+Tab TO-220AB Tube


安富利:
Trans MOSFET N-CH 500V 3A 3-Pin3+Tab TO-220 Tube


Verical:
Trans MOSFET N-CH 500V 3A 3-Pin3+Tab TO-220AB Tube


Win Source:
MOSFET N-CH 500V 3A TO-220


STP4NK50ZD中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 500 V

额定电流 3.00 A

漏源极电阻 2.70 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 45 W

输入电容 310 pF

栅电荷 12.0 nC

漏源极电压Vds 500 V

漏源击穿电压 500 V

栅源击穿电压 ±30.0 V

连续漏极电流Ids 3.00 A

上升时间 15.5 ns

输入电容Ciss 310pF @25VVds

额定功率Max 45 W

下降时间 22 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 45W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-220-3

外形尺寸

长度 10.4 mm

宽度 4.6 mm

高度 15.75 mm

封装 TO-220-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

STP4NK50ZD引脚图与封装图
暂无图片
在线购买STP4NK50ZD
型号 制造商 描述 购买
STP4NK50ZD ST Microelectronics 意法半导体 N 通道 MDmesh™ SuperMESH™,250V 至 650V,STMicroelectronics ### MOSFET 晶体管,STMicroelectronics 搜索库存
替代型号STP4NK50ZD
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: STP4NK50ZD

品牌: ST Microelectronics 意法半导体

封装: TO-220 N-Channel 500V 3A 2.7Ω 310pF

当前型号

N 通道 MDmesh™ SuperMESH™,250V 至 650V,STMicroelectronics### MOSFET 晶体管,STMicroelectronics

当前型号

型号: IRF830PBF

品牌: 威世

封装: TO-220-3 N-Channel 500V 4.5A 1.5Ω 610pF

功能相似

功率MOSFET Power MOSFET

STP4NK50ZD和IRF830PBF的区别

型号: IRF820PBF

品牌: 威世

封装: TO-220AB N-Channel 500V 2.5A 3Ω

功能相似

功率MOSFET Power MOSFET

STP4NK50ZD和IRF820PBF的区别

型号: IRF820APBF

品牌: 威世

封装: TO-220-3 N-Channel 500V 2.5A 3Ω

功能相似

功率MOSFET Power MOSFET

STP4NK50ZD和IRF820APBF的区别