IRF830PBF、STP4NK50ZD、IRF830_NL对比区别

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型号 IRF830PBF STP4NK50ZD IRF830_NL

描述 功率MOSFET Power MOSFETN 通道 MDmesh™ SuperMESH™，250V 至 650V，STMicroelectronics### MOSFET 晶体管，STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 500V 4.5A 3Pin (3+Tab) TO-220AB

数据手册 ---

制造商 VISHAY (威世) ST Microelectronics (意法半导体) Fairchild (飞兆/仙童)

分类 MOS管MOS管

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220

引脚数 3 3 -

极性 N-Channel N-Channel N-CH

漏源极电压(Vds) 500 V 500 V 500 V

连续漏极电流(Ids) 4.50 A 3.00 A 4.5A

额定电压(DC) 500 V 500 V -

额定电流 4.50 A 3.00 A -

额定功率 74 W - -

针脚数 3 - -

漏源极电阻 1.5 Ω 2.70 Ω -

耗散功率 74 W 45 W -

阈值电压 4 V - -

输入电容 610 pF 310 pF -

栅电荷 38.0 nC 12.0 nC -

栅源击穿电压 ±20.0 V ±30.0 V -

上升时间 16 ns 15.5 ns -

输入电容(Ciss) 610pF @25V(Vds) 310pF @25V(Vds) -

额定功率(Max) 74 W 45 W -

下降时间 16 ns 22 ns -

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ -

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -

耗散功率(Max) 74000 mW 45W (Tc) -

漏源击穿电压 - 500 V -

封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220

长度 - 10.4 mm -

宽度 - 4.6 mm -

高度 - 15.75 mm -

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -

产品生命周期 Active Active -

包装方式 Tube Tube -

RoHS标准 RoHS Compliant -

含铅标准 Lead Free Lead Free -

REACH SVHC标准 No SVHC - -