IRF820APBF、STP4NK50ZD、IRF820B对比区别
型号 IRF820APBF STP4NK50ZD IRF820B
描述 功率MOSFET Power MOSFETN 通道 MDmesh™ SuperMESH™,250V 至 650V,STMicroelectronics### MOSFET 晶体管,STMicroelectronics500V N沟道MOSFET 500V N-Channel MOSFET
数据手册 ---
制造商 VISHAY (威世) ST Microelectronics (意法半导体) Fairchild (飞兆/仙童)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole
引脚数 3 3 -
封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
额定电压(DC) - 500 V -
额定电流 - 3.00 A -
漏源极电阻 3 Ω 2.70 Ω 210 mΩ
极性 N-Channel N-Channel N-Channel
耗散功率 50 W 45 W 49 W
输入电容 - 310 pF -
栅电荷 - 12.0 nC -
漏源极电压(Vds) 500 V 500 V 500 V
漏源击穿电压 - 500 V -
栅源击穿电压 - ±30.0 V ±30.0 V
连续漏极电流(Ids) 2.50 A 3.00 A 2.50 A
上升时间 12 ns 15.5 ns 30 ns
输入电容(Ciss) 340pF @25V(Vds) 310pF @25V(Vds) -
额定功率(Max) 50 W 45 W -
下降时间 13 ns 22 ns 35 ns
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 50 W 45W (Tc) -
针脚数 3 - -
长度 10.41 mm 10.4 mm 10.67 mm
宽度 4.7 mm 4.6 mm 4.7 mm
高度 9.01 mm 15.75 mm 16.3 mm
封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -
产品生命周期 Active Active Unknown
包装方式 Tube Tube Tube
最小包装 50 - -
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
ECCN代码 - - EAR99