IRF820APBF、STP4NK50ZD、IRF820B对比区别

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型号 IRF820APBF STP4NK50ZD IRF820B

描述 功率MOSFET Power MOSFETN 通道 MDmesh™ SuperMESH™，250V 至 650V，STMicroelectronics### MOSFET 晶体管，STMicroelectronics500V N沟道MOSFET 500V N-Channel MOSFET

数据手册 ---

制造商 VISHAY (威世) ST Microelectronics (意法半导体) Fairchild (飞兆/仙童)

分类 MOS管MOS管MOS管

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 3 3 -

封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3

额定电压(DC) - 500 V -

额定电流 - 3.00 A -

漏源极电阻 3 Ω 2.70 Ω 210 mΩ

极性 N-Channel N-Channel N-Channel

耗散功率 50 W 45 W 49 W

输入电容 - 310 pF -

栅电荷 - 12.0 nC -

漏源极电压(Vds) 500 V 500 V 500 V

漏源击穿电压 - 500 V -

栅源击穿电压 - ±30.0 V ±30.0 V

连续漏极电流(Ids) 2.50 A 3.00 A 2.50 A

上升时间 12 ns 15.5 ns 30 ns

输入电容(Ciss) 340pF @25V(Vds) 310pF @25V(Vds) -

额定功率(Max) 50 W 45 W -

下降时间 13 ns 22 ns 35 ns

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 50 W 45W (Tc) -

针脚数 3 - -

长度 10.41 mm 10.4 mm 10.67 mm

宽度 4.7 mm 4.6 mm 4.7 mm

高度 9.01 mm 15.75 mm 16.3 mm

封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -

产品生命周期 Active Active Unknown

包装方式 Tube Tube Tube

最小包装 50 - -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

ECCN代码 - - EAR99