BLF6G10LS-200,118
数据手册.pdfNXP(恩智浦)
主动器件
BLF6G10LS-200,118中文资料参数规格
技术参数
频率 871.5 MHz
额定电流 49 A
漏源极电阻 60 mΩ
漏源击穿电压 65 V
输出功率 40 W
增益 20.2 dB
测试电流 1.4 A
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min 65 ℃
额定电压 65 V
封装参数
安装方式 Surface Mount
封装 SOT-502
外形尺寸
长度 20.7 mm
宽度 9.91 mm
高度 4.72 mm
封装 SOT-502
其他
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
BLF6G10LS-200,118引脚图与封装图
暂无图片
在线购买BLF6G10LS-200,118
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| BLF6G10LS-200,118 | NXP 恩智浦 | RF MOSFET Transistors LDMOS TNS | 搜索库存 |
替代型号BLF6G10LS-200,118
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： BLF6G10LS-200,118 品牌： NXP 恩智浦 封装： SOT502B | 当前型号 | RF MOSFET Transistors LDMOS TNS | 当前型号 |
| 型号： BLF6G10LS-200,112 品牌： 恩智浦 封装： SOT502B | 完全替代 | IC BASESTATION FINAL SOT502B | BLF6G10LS-200,118和BLF6G10LS-200,112的区别 |
| 型号： BLF6G10LS-200RN 品牌： 恩智浦 封装： | 功能相似 | 功率LDMOS晶体管 Power LDMOS transistor | BLF6G10LS-200,118和BLF6G10LS-200RN的区别 |
| 型号： BLF6G10LS-200R,118 品牌： 恩智浦 封装： SOT502B | 功能相似 | Trans RF MOSFET N-CH 65V 49A 3Pin SOT-502B T/R | BLF6G10LS-200,118和BLF6G10LS-200R,118的区别 |