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BLF6G10LS-200R,118、BLF6G10LS-200,118、BLF6G10LS-200R,112对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 BLF6G10LS-200R,118 BLF6G10LS-200,118 BLF6G10LS-200R,112

描述 Trans RF MOSFET N-CH 65V 49A 3Pin SOT-502B T/RRF MOSFET Transistors LDMOS TNSTrans RF MOSFET N-CH 65V 49A 3Pin SOT-502B Bulk

数据手册 ---

制造商 NXP (恩智浦) NXP (恩智浦) NXP (恩智浦)

分类 晶体管晶体管晶体管

基础参数对比

封装 SOT502B SOT-502 SOT502B

安装方式 - Surface Mount -

封装 SOT502B SOT-502 SOT502B

长度 - 20.7 mm -

宽度 - 9.91 mm -

高度 - 4.72 mm -

产品生命周期 Active Obsolete Active

包装方式 - Tape & Reel (TR) -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

频率 - 871.5 MHz -

额定电流 - 49 A -

漏源极电阻 - 60 mΩ -

漏源击穿电压 - 65 V -

输出功率 - 40 W -

增益 - 20.2 dB -

测试电流 - 1.4 A -

工作温度(Max) - 150 ℃ -

工作温度(Min) - 65 ℃ -

额定电压 - 65 V -