BLF6G10LS-200,118、BLF6G10LS-200,112、BLF6G10LS-200RN对比区别

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型号 BLF6G10LS-200,118 BLF6G10LS-200,112 BLF6G10LS-200RN

描述 RF MOSFET Transistors LDMOS TNSIC BASESTATION FINAL SOT502B功率LDMOS晶体管 Power LDMOS transistor

数据手册 ---

制造商 NXP (恩智浦) NXP (恩智浦) NXP (恩智浦)

分类 晶体管晶体管

安装方式 Surface Mount - Surface Mount

引脚数 - - 3

封装 SOT-502 SOT-502 SOT-502

输出功率 40 W 40 W 40 W

工作温度(Max) 150 ℃ - 225 ℃

工作温度(Min) 65 ℃ - -65 ℃

频率 871.5 MHz 871.5 MHz -

额定电流 49 A - -

漏源极电阻 60 mΩ - -

漏源击穿电压 65 V - -

增益 20.2 dB 20.2 dB -

测试电流 1.4 A 1.4 A -

额定电压 65 V 65 V -

封装 SOT-502 SOT-502 SOT-502

长度 20.7 mm - -

宽度 9.91 mm - -

高度 4.72 mm - -

产品生命周期 Obsolete Obsolete Unknown

包装方式 Tape & Reel (TR) - -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free