ZVNL110A
数据手册.pdfDiodes(美台)
分立器件
ZVNL110A中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC 100 V
额定电流 320 mA
漏源极电阻 4.50 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 700 mW
输入电容 75.0 pF
漏源极电压Vds 100 V
漏源击穿电压 100 V
栅源击穿电压 ±20.0 V
连续漏极电流Ids 320 mA
上升时间 12 ns
输入电容Ciss 75pF @25VVds
额定功率Max 700 mW
下降时间 12 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 700 mW
封装参数
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-92-3
外形尺寸
长度 4.77 mm
宽度 2.41 mm
高度 4.01 mm
封装 TO-92-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Bulk
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
海关信息
ECCN代码 EAR99
ZVNL110A引脚图与封装图
暂无图片
替代型号ZVNL110A
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： ZVNL110A 品牌： Diodes 美台 封装： TO-92-3 N-Channel 100V 320mA 4.5Ω 75pF | 当前型号 | N沟道 100V 320mA | 当前型号 |
| 型号： BSS123-7-F 品牌： 美台 封装： SOT-23 N-Channel 100V 170mA 10Ω | 类似代替 | 三极管 | ZVNL110A和BSS123-7-F的区别 |
| 型号： ZVP2106A 品牌： 美台 封装： TO-92-3 P-Channel 60V 320mA 5Ω 100pF | 类似代替 | DIODES INC. ZVP2106A 晶体管, MOSFET, P沟道, -280 mA, -60 V, 4 ohm, -10 V, -3.5 V | ZVNL110A和ZVP2106A的区别 |
| 型号： 2N7002K-7 品牌： 美台 封装： SOT-23 N-Channel 60V 300mA | 功能相似 | 2N7002K 系列 60 V 2 Ohm N 沟道 增强模式 Mosfet - SOT-23-3 | ZVNL110A和2N7002K-7的区别 |