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2N7002K-7、ZVNL110A、2N7002K-E3对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 2N7002K-7 ZVNL110A 2N7002K-E3

描述 2N7002K 系列 60 V 2 Ohm N 沟道 增强模式 Mosfet - SOT-23-3N沟道 100V 320mASOT-23 N-CH 60V 0.3A

数据手册 ---

制造商 Diodes (美台) Diodes (美台) VISHAY (威世)

分类 MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Through Hole Surface Mount

引脚数 3 3 3

封装 SOT-23-3 TO-92-3 SOT-23

极性 N-Channel N-Channel N-CH

漏源极电压(Vds) 60 V 100 V 60 V

连续漏极电流(Ids) 300 mA 320 mA 0.3A

输入电容(Ciss) 50pF @25V(Vds) 75pF @25V(Vds) 30pF @25V(Vds)

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -65 ℃ -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 370mW (Ta) 700 mW 350 mW

额定电压(DC) - 100 V -

额定电流 - 320 mA -

漏源极电阻 2 Ω 4.50 Ω -

耗散功率 350 mW 700 mW -

输入电容 - 75.0 pF -

漏源击穿电压 - 100 V -

栅源击穿电压 - ±20.0 V -

上升时间 3.4 ns 12 ns -

额定功率(Max) 370 mW 700 mW -

下降时间 9.9 ns 12 ns -

通道数 1 - -

针脚数 3 - -

阈值电压 1.6 V - -

封装 SOT-23-3 TO-92-3 SOT-23

长度 - 4.77 mm -

宽度 1.3 mm 2.41 mm -

高度 - 4.01 mm -

材质 - - Silicon

工作温度 -65℃ ~ 150℃ -55℃ ~ 150℃ -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free -

REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC -

REACH SVHC版本 2014/12/17 - -

产品生命周期 Active Active -

包装方式 Tape & Reel (TR) Bulk -

ECCN代码 EAR99 EAR99 -

香港进出口证 NLR - -