锐单电子商城 , 一站式电子元器件采购平台!
  • 电话:400-990-0325

ZVNL110A、ZVP2106A、2N6660对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 ZVNL110A ZVP2106A 2N6660

描述 N沟道 100V 320mADIODES INC.  ZVP2106A  晶体管, MOSFET, P沟道, -280 mA, -60 V, 4 ohm, -10 V, -3.5 V晶体管, MOSFET, DMOS, N沟道, 410 mA, 60 V, 3 ohm, 10 V, 2 V

数据手册 ---

制造商 Diodes (美台) Diodes (美台) Microchip (微芯)

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Surface Mount Through Hole

引脚数 3 3 3

封装 TO-92-3 TO-92-3 TO-39-3

额定电压(DC) 100 V -60.0 V -

额定电流 320 mA -280 mA -

漏源极电阻 4.50 Ω 4 Ω 3 Ω

极性 N-Channel P-Channel -

耗散功率 700 mW 700 mW 6.25 W

输入电容 75.0 pF 100 pF -

漏源极电压(Vds) 100 V 60 V 60 V

漏源击穿电压 100 V 60 V 60 V

栅源击穿电压 ±20.0 V ±20.0 V -

连续漏极电流(Ids) 320 mA 320 mA -

上升时间 12 ns 5 ns -

输入电容(Ciss) 75pF @25V(Vds) 100pF @18V(Vds) 50pF @24V(Vds)

额定功率(Max) 700 mW 700 mW -

下降时间 12 ns 15 ns -

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ 55 ℃

耗散功率(Max) 700 mW 700 mW 6.25W (Tc)

通道数 - 1 1

针脚数 - 3 3

阈值电压 - 3.5 V 2 V

长度 4.77 mm 6.7 mm -

宽度 2.41 mm 3.7 mm -

高度 4.01 mm 1.65 mm -

封装 TO-92-3 TO-92-3 TO-39-3

工作温度 -55℃ ~ 150℃ -55℃ ~ 150℃ -55℃ ~ 150℃ (TJ)

材质 - - Silicon

产品生命周期 Active Active Unknown

包装方式 Bulk Bulk Bulk

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC -

REACH SVHC版本 - 2015/12/17 -

ECCN代码 EAR99 - -