ZDX080N50
数据手册.pdf
ROHM Semiconductor
罗姆半导体
分立器件
ZDX080N50中文资料参数规格
技术参数
极性 N-CH
耗散功率 40 W
漏源极电压Vds 500 V
连续漏极电流Ids 8A
上升时间 30 ns
输入电容Ciss 1120pF @25VVds
下降时间 20 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 40W Tc
封装参数
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-220-3
外形尺寸
长度 15.4 mm
宽度 10.3 mm
高度 4.8 mm
封装 TO-220-3
物理参数
工作温度 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Not For New Designs
包装方式 Bulk
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
ZDX080N50引脚图与封装图 
ZDX080N50引脚图
ZDX080N50封装图
ZDX080N50封装焊盘图
替代型号ZDX080N50
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： ZDX080N50 品牌： ROHM Semiconductor 罗姆半导体 封装： TO-220-3 N-CH 500V 8A | 当前型号 | N沟道 500V 8A | 当前型号 |
| 型号： IRF840I 品牌： 富鼎先进电子 封装： | 功能相似 | TO-220CFM N-CH 500V 8A | ZDX080N50和IRF840I的区别 |
| 型号： TK8A50D 品牌： 东芝 封装： | 功能相似 | MOS管 | ZDX080N50和TK8A50D的区别 |