TK8A50D、ZDX080N50、IRF840I对比区别

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型号 TK8A50D ZDX080N50 IRF840I

描述 MOS管N沟道 500V 8ATO-220CFM N-CH 500V 8A

数据手册 ---

制造商 Toshiba (东芝) ROHM Semiconductor (罗姆半导体) Advanced Power Electronics (富鼎先进电子)

分类 MOS管

封装 SC-67 TO-220-3 TO-220

安装方式 - Through Hole -

引脚数 - 3 -

极性 N-CH N-CH N-CH

漏源极电压(Vds) 500 V 500 V 500 V

连续漏极电流(Ids) 8A 8A 8A

耗散功率 - 40 W -

上升时间 - 30 ns -

输入电容(Ciss) - 1120pF @25V(Vds) -

下降时间 - 20 ns -

工作温度(Max) - 150 ℃ -

工作温度(Min) - -55 ℃ -

耗散功率(Max) - 40W (Tc) -

封装 SC-67 TO-220-3 TO-220

长度 - 15.4 mm -

宽度 - 10.3 mm -

高度 - 4.8 mm -

产品生命周期 Active Not For New Designs Obsolete

包装方式 - Bulk -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

香港进出口证 NLR - -

工作温度 - 150℃ (TJ) -