W972GG8JB-25、W972GG8JB25I、MT47H256M8EB-25E:C对比区别

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型号 W972GG8JB-25 W972GG8JB25I MT47H256M8EB-25E:C

描述 DDR DRAM, 256MX8, 0.4ns, CMOS, PBGA60, 11 X 11.5MM, ROHS COMPLIANT, WBGA-60DDR DRAM, 256MX8, 0.4ns, CMOS, PBGA60, 11 X 11.5MM, ROHS COMPLIANT, WBGA-60DDR DRAM, 256MX8, 0.4ns, CMOS, PBGA60, 9 X 11.5MM, ROHS COMPLIANT, FBGA-60

数据手册 ---

制造商 Winbond Electronics (华邦电子股份) Winbond Electronics (华邦电子股份) Micron (镁光)

分类 存储芯片存储芯片存储芯片

引脚数 60 60 60

封装 TFBGA-60 TFBGA-60 FBGA-60

安装方式 - - Surface Mount

供电电流 135 mA - 130 mA

位数 8 8 8

存取时间(Max) 0.4 ns 0.4 ns 0.4 ns

工作温度(Max) 85 ℃ 95 ℃ 70 ℃

工作温度(Min) 0 ℃ -40 ℃ 0 ℃

电源电压 1.7V ~ 1.9V 1.7V ~ 1.9V 1.7V ~ 1.9V

工作电压 - - 1.80 V

时钟频率 - - 400 MHz

存取时间 - - 400 ps

封装 TFBGA-60 TFBGA-60 FBGA-60

高度 - 0.8 mm -

工作温度 0℃ ~ 85℃ -40℃ ~ 95℃ 0℃ ~ 85℃

产品生命周期 Active Active Unknown

包装方式 Tray Tray Tray

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

ECCN代码 EAR99 - EAR99