MT47H256M8HG-25IT:A、W972GG8JB-25、MT47H256M8HG-25:C对比区别

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型号 MT47H256M8HG-25IT:A W972GG8JB-25 MT47H256M8HG-25:C

描述 DDR DRAM, 256MX8, 0.4ns, CMOS, PBGA60, 11.50 X 14MM, ROHS COMPLIANT, FBGA-60DDR DRAM, 256MX8, 0.4ns, CMOS, PBGA60, 11 X 11.5MM, ROHS COMPLIANT, WBGA-60DDR DRAM, 256MX8, 0.4ns, CMOS, PBGA60, 11.5 X 14MM, ROHS COMPLIANT, FBGA-60

数据手册 ---

制造商 Micron (镁光) Winbond Electronics (华邦电子股份) Micron (镁光)

分类 存储芯片

引脚数 - 60 -

封装 TFBGA TFBGA-60 TFBGA

供电电流 - 135 mA -

位数 - 8 -

存取时间(Max) - 0.4 ns -

工作温度(Max) - 85 ℃ -

工作温度(Min) - 0 ℃ -

电源电压 - 1.7V ~ 1.9V -

封装 TFBGA TFBGA-60 TFBGA

工作温度 - 0℃ ~ 85℃ -

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 - Tray -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

ECCN代码 - EAR99 -