VQ1006P-2
数据手册.pdf
Vishay Siliconix
分立器件
VQ1006P-2中文资料参数规格
技术参数
漏源极电压Vds 90 V
输入电容Ciss 60pF @25VVds
额定功率Max 2 W
封装参数
安装方式 Through Hole
封装 PDIP-14
外形尺寸
长度 19.56 mm
宽度 7.87 mm
高度 4.45 mm
封装 PDIP-14
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
符合标准
RoHS标准 Non-Compliant
含铅标准 Contains Lead
VQ1006P-2引脚图与封装图
暂无图片
替代型号VQ1006P-2
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： VQ1006P-2 品牌： Vishay Siliconix 封装： PDIP-14 | 当前型号 | MOSFET 4N-CH 90V 0.4A 14DIP | 当前型号 |
| 型号： VQ1006P 品牌： Vishay Siliconix 封装： PDIP-14 N-Channel 2W | 类似代替 | Trans MOSFET N-CH 90V 0.4A 14Pin PDIP | VQ1006P-2和VQ1006P的区别 |
| 型号： 2N7334 品牌： Semelab 封装： | 功能相似 | 4 CHANNEL, Si, POWER, FET, HERMETIC SEALED PACKAGE-14 | VQ1006P-2和2N7334的区别 |
