锐单电子商城 , 一站式电子元器件采购平台!
  • 电话:400-990-0325

VQ1006P、VQ1006P-2、2N7334对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 VQ1006P VQ1006P-2 2N7334

描述 Trans MOSFET N-CH 90V 0.4A 14Pin PDIPMOSFET 4N-CH 90V 0.4A 14DIPMosfet 4n-Ch 100V 1A Mo-036ab

数据手册 ---

制造商 Vishay Siliconix Vishay Siliconix Microsemi (美高森美)

分类 晶体管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

封装 DIP-14 PDIP-14 DIP-14

引脚数 14 - 14

漏源极电压(Vds) 90 V 90 V 100 V

输入电容(Ciss) 60pF @25V(Vds) 60pF @25V(Vds) -

额定功率(Max) 2 W 2 W 1.4 W

工作温度(Max) - - 150 ℃

工作温度(Min) - - -55 ℃

耗散功率(Max) - - 1400 mW

漏源极电阻 4.00 Ω - -

极性 N-Channel - -

耗散功率 2.00 W - -

漏源击穿电压 90.0 V - -

栅源击穿电压 ±20.0 V - -

连续漏极电流(Ids) 400 mA - -

长度 - 19.56 mm -

宽度 - 7.87 mm -

高度 - 4.45 mm -

封装 DIP-14 PDIP-14 DIP-14

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Unknown Active Obsolete

包装方式 Tube - Bulk

RoHS标准 Non-Compliant Non-Compliant Non-Compliant

含铅标准 Contains Lead Contains Lead Contains Lead