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2N7334、VQ1006P-2、IRFG110对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 2N7334 VQ1006P-2 IRFG110

描述 4 CHANNEL, Si, POWER, FET, HERMETIC SEALED PACKAGE-14MOSFET 4N-CH 90V 0.4A 14DIPSingle N-Channel 100 V 1.4 W 15 nC Hexfet Power Mosfet Through Hole - MO-036AB

数据手册 ---

制造商 Semelab Vishay Siliconix Infineon (英飞凌)

分类 MOS管

基础参数对比

安装方式 - Through Hole -

封装 - PDIP-14 MO-036AB

引脚数 - - 14

漏源极电压(Vds) - 90 V -

输入电容(Ciss) - 60pF @25V(Vds) 180pF @25V(Vds)

额定功率(Max) - 2 W -

工作温度(Max) - - 150 ℃

工作温度(Min) - - -55 ℃

耗散功率(Max) - - 1400 mW

长度 - 19.56 mm -

宽度 - 7.87 mm -

高度 - 4.45 mm -

封装 - PDIP-14 MO-036AB

工作温度 - -55℃ ~ 150℃ (TJ) -

产品生命周期 Active Active Active

RoHS标准 - Non-Compliant Non-Compliant

含铅标准 - Contains Lead -