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VND3NV04TR-E

VND3NV04TR-E

数据手册.pdf

OMNIFET II完全autoprotected功率MOSFET OMNIFET II fully autoprotected Power MOSFET

Description

The VNN3NV04, VNS3NV04, VND3NV04 VND3NV04-1, are monolithic devices designed in STMicroelectronics VIPower M0-3 Technology, intended for replacement of standard Power MOSFETs from DC up to 50 kHz applications.

Features

■ Linear current limitation

■ Thermal shutdown

■ Short circuit protection

■ Integrated clamp

■ Low current drawn from input pin

■ Diagnostic feedback through input pin

■ ESD protection

■ Direct access to the gate of the Power MOSFET analog driving

■ Compatible with standard Power MOSFET in compliance with the 2002/95/EC European Directive

VND3NV04TR-E中文资料参数规格
技术参数

输出接口数 1

输出电流 7 A

供电电流 0.1 mA

漏源极电阻 120 mΩ

极性 N-Channel

耗散功率 35 W

漏源击穿电压 40.0 V

连续漏极电流Ids 3.50 A

上升时间 250 ns

输出电流Max 3.5 A

输出电流Min 3.5 A

输入数 1

下降时间 250 ns

耗散功率Max 35000 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 TO-252-2

外形尺寸

封装 TO-252-2

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

VND3NV04TR-E引脚图与封装图
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在线购买VND3NV04TR-E
型号 制造商 描述 购买
VND3NV04TR-E ST Microelectronics 意法半导体 OMNIFET II完全autoprotected功率MOSFET OMNIFET II fully autoprotected Power MOSFET 搜索库存
替代型号VND3NV04TR-E
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: VND3NV04TR-E

品牌: ST Microelectronics 意法半导体

封装: TO-252

当前型号

OMNIFET II完全autoprotected功率MOSFET OMNIFET II fully autoprotected Power MOSFET

当前型号

型号: VND3NV0413TR

品牌: 意法半导体

封装:

完全替代

OMNIFET II完全autoprotected功率MOSFET OMNIFET II fully autoprotected Power MOSFET

VND3NV04TR-E和VND3NV0413TR的区别

型号: VND3NV04

品牌: 意法半导体

封装:

完全替代

OMNIFET II完全autoprotected功率MOSFET OMNIFET II fully autoprotected Power MOSFET

VND3NV04TR-E和VND3NV04的区别

型号: VND3NV04-E

品牌: 意法半导体

封装: DPAK

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