VND3NV04-E、VND3NV04TR-E、VND3NV04对比区别

高亮显示差异参数

型号 VND3NV04-E VND3NV04TR-E VND3NV04

描述 VND3NV04 单通道 低边 自保护 6 V 7 A 120 mOhm 功率MOSFET - TO-252-3OMNIFET II完全autoprotected功率MOSFET OMNIFET II fully autoprotected Power MOSFETOMNIFET II完全autoprotected功率MOSFET OMNIFET II fully autoprotected Power MOSFET

数据手册 ---

制造商 ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体)

分类 FET驱动器FET驱动器开关电源

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 3 3

封装 TO-252-3 TO-252-2 TO-252-3

输出接口数 1 1 1

输出电流 - 7 A 7 A

供电电流 - 0.1 mA 0.1 mA

漏源极电阻 120 mΩ 120 mΩ 120 mΩ

极性 N-Channel N-Channel N-Channel

耗散功率 35000 mW 35 W 35 W

漏源击穿电压 40.0 V 40.0 V 40.0 V

连续漏极电流(Ids) 3.50 A 3.50 A 3.50 A

上升时间 - 250 ns -

输出电流(Max) 3.5 A 3.5 A 3.5 A

输出电流(Min) - 3.5 A -

输入数 1 1 1

下降时间 - 250 ns -

耗散功率(Max) 35000 mW 35000 mW 35000 mW

封装 TO-252-3 TO-252-2 TO-252-3

工作温度 -40℃ ~ 150℃ (TJ) -40℃ ~ 150℃ (TJ) -40℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tube Tape & Reel (TR) Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99