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VND3NV04、VND3NV04TR-E、IPS1031RPBF对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 VND3NV04 VND3NV04TR-E IPS1031RPBF

描述 OMNIFET II完全autoprotected功率MOSFET OMNIFET II fully autoprotected Power MOSFETOMNIFET II完全autoprotected功率MOSFET OMNIFET II fully autoprotected Power MOSFETPower Switch Lo Side 18A 3Pin(2+Tab) DPAK Tube

数据手册 ---

制造商 ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体) International Rectifier (国际整流器)

分类 开关电源FET驱动器FET驱动器

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 3 3

封装 TO-252-3 TO-252-2 TO-252-3

工作电压 - - 36.0V (max)

额定功率 - - 2.5 W

输出接口数 1 1 1

输入电压(DC) - - 5.50 V

输出电流 7 A 7 A 6 A

漏源极电阻 120 mΩ 120 mΩ 0.05 Ω

极性 N-Channel N-Channel N-Channel

耗散功率 35 W 35 W 2.5 W

产品系列 - - IPS1031R

连续漏极电流(Ids) 3.50 A 3.50 A 6.00 A

输出电流(Max) 3.5 A 3.5 A 3 A

工作温度(Max) - - 150 ℃

工作温度(Min) - - -40 ℃

电源电压(Max) - - 5.5 V

电源电压(Min) - - 4.5 V

输入电压 - - 4.5V ~ 5.5V

供电电流 0.1 mA 0.1 mA -

漏源击穿电压 40.0 V 40.0 V -

输入数 1 1 -

耗散功率(Max) 35000 mW 35000 mW -

上升时间 - 250 ns -

输出电流(Min) - 3.5 A -

下降时间 - 250 ns -

封装 TO-252-3 TO-252-2 TO-252-3

工作温度 -40℃ ~ 150℃ (TJ) -40℃ ~ 150℃ (TJ) -40℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active Unknown

包装方式 Tube Tape & Reel (TR) Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - - No SVHC

REACH SVHC版本 - - 2014/12/17

ECCN代码 EAR99 EAR99 -