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VP2450N8、VP2450N8-G对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 VP2450N8 VP2450N8-G

描述 SOT-89P-CH 500V 0.16AVP2450N8-G 编带

数据手册 --

制造商 Microchip (微芯) Microchip (微芯)

分类 MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount

封装 SOT-89 SOT-89-3

引脚数 - 3

极性 P-CH -

漏源极电压(Vds) 500 V 500 V

连续漏极电流(Ids) 0.16A -

额定功率 - 1.6 W

耗散功率 - 1.6 W

上升时间 - 25 ns

输入电容(Ciss) - 190pF @25V(Vds)

额定功率(Max) - 1.6 W

下降时间 - 25 ns

工作温度(Max) - 150 ℃

工作温度(Min) - -55 ℃

耗散功率(Max) - 1.6W (Ta)

封装 SOT-89 SOT-89-3

长度 - 4.6 mm

宽度 - 2.6 mm

高度 - 1.6 mm

产品生命周期 Active Unknown

包装方式 - Tape & Reel (TR)

RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant

含铅标准 - 无铅

材质 - Silicon

工作温度 - -55℃ ~ 150℃ (TJ)