VND5N0713TR中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC 70.0 V
额定电流 5.00 A
输出接口数 1
漏源极电阻 0.2 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 60 W
阈值电压 800 mV
漏源极电压Vds 70 V
漏源击穿电压 70.0 V
连续漏极电流Ids 5.00 A
输出电流Max 3.5 A
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 TO-252-3
外形尺寸
封装 TO-252-3
物理参数
工作温度 -40℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Not Recommended for New Designs
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 Non-Compliant
含铅标准 Contains Lead
REACH SVHC版本 2015/12/17
海关信息
ECCN代码 EAR99
VND5N0713TR引脚图与封装图
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在线购买VND5N0713TR
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| VND5N0713TR | ST Microelectronics 意法半导体 | OMNIFET ：完全autoprotected功率MOSFET OMNIFET: FULLY AUTOPROTECTED POWER MOSFET | 搜索库存 |
替代型号VND5N0713TR
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： VND5N0713TR 品牌： ST Microelectronics 意法半导体 封装： | 当前型号 | OMNIFET ：完全autoprotected功率MOSFET OMNIFET: FULLY AUTOPROTECTED POWER MOSFET | 当前型号 |
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| 型号： BTS118D 品牌： 英飞凌 封装： TO-252-3 3Pin | 功能相似 | INFINEON BTS118D 智能电源开关, SIPMOS技术, 低压侧, 1路输出, 10V, 15A, TO-252-3 | VND5N0713TR和BTS118D的区别 |