BTS118D、VND5N0713TR、VND1NV04TR-E对比区别

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型号 BTS118D VND5N0713TR VND1NV04TR-E

描述 INFINEON  BTS118D  智能电源开关, SIPMOS技术, 低压侧, 1路输出, 10V, 15A, TO-252-3OMNIFET ：完全autoprotected功率MOSFET OMNIFET: FULLY AUTOPROTECTED POWER MOSFETOMNIFET 全自动保护功率 MOSFET，STMicroelectronicsOMNIFET III 系列全自动保护低侧驱动器，根据坚固性标准进行了测量并提高了可靠性。 这些固态电源开关设计用于电感性或电阻负载，尤其是汽车环境。线性电流限制 热关闭 短路保护 ESD 保护 一体式夹 ### 智能电源开关，STMicroelectronics

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体)

分类 FET驱动器开关电源FET驱动器

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 3 3

封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-252-3

输出接口数 1 1 1

输入电压(DC) 10.0 V - -

针脚数 3 - -

耗散功率 21 W 60 W 35 W

输出电流(Max) 2.4 A 3.5 A 1.7 A

工作温度(Max) 150 ℃ - 150 ℃

工作温度(Min) -40 ℃ - -40 ℃

电源电压 2.2V ~ 10V - -

输入电压 10 V - -

额定功率 - - 35 W

输出电流 - - 1.7 A

供电电流 - - 0.1 mA

通道数 - - 1

漏源极电阻 - 0.2 Ω 0.25 Ω

极性 - N-Channel N-Channel

阈值电压 - 800 mV 2.5 V

漏源极电压(Vds) - 70 V 55 V

漏源击穿电压 - 70.0 V 40.0 V

连续漏极电流(Ids) - 5.00 A 500 mA

上升时间 - - 500 ns

输出电流(Min) - - 1.7 A

输入数 - - 1

下降时间 - - 600 ns

耗散功率(Max) - - 35000 mW

额定电压(DC) - 70.0 V -

额定电流 - 5.00 A -

长度 6.5 mm - 6.6 mm

宽度 6.22 mm - 6.2 mm

高度 2.3 mm - 2.4 mm

封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-252-3

工作温度 -40℃ ~ 150℃ (TJ) -40℃ ~ 150℃ (TJ) -40℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Not Recommended for New Designs Unknown

包装方式 Cut Tape (CT) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant Non-Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Contains Lead Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC - No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17 2015/12/17 -

ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99