VND5N0713TR、VND5N07TR-E、BTS118D对比区别

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型号 VND5N0713TR VND5N07TR-E BTS118D

描述 OMNIFET ：完全autoprotected功率MOSFET OMNIFET: FULLY AUTOPROTECTED POWER MOSFETVND5N07 单通道 低边 自保护 70 V 5 A 0.2 Ohm 功率MOSFET TO-252-3INFINEON  BTS118D  智能电源开关, SIPMOS技术, 低压侧, 1路输出, 10V, 15A, TO-252-3

数据手册 ---

制造商 ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体) Infineon (英飞凌)

分类 开关电源FET驱动器FET驱动器

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 3 3

封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-252-3

输出接口数 1 1 1

输入电压(DC) - - 10.0 V

针脚数 - 3 3

耗散功率 60 W 60 W 21 W

输出电流(Max) 3.5 A 3.5 A 2.4 A

工作温度(Max) - 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) - -40 ℃ -40 ℃

电源电压 - - 2.2V ~ 10V

输入电压 - 18 V 10 V

额定电压(DC) 70.0 V - -

额定电流 5.00 A - -

漏源极电阻 0.2 Ω 200 mΩ -

极性 N-Channel N-Channel -

阈值电压 800 mV - -

漏源极电压(Vds) 70 V - -

漏源击穿电压 70.0 V 70.0 V -

连续漏极电流(Ids) 5.00 A 5.00 A -

输出电流 - 7 A -

供电电流 - 0.25 mA -

输入电压(Max) - 18 V -

输入数 - 1 -

耗散功率(Max) - 60000 mW -

长度 - - 6.5 mm

宽度 - - 6.22 mm

高度 - - 2.3 mm

封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-252-3

工作温度 -40℃ ~ 150℃ (TJ) -40℃ ~ 150℃ (TJ) -40℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Not Recommended for New Designs Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT)

RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Contains Lead Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - - No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17 - 2015/12/17

ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99