VND7NV04、VND7NV0413TR、VND7NV04-E对比区别

高亮显示差异参数

型号 VND7NV04 VND7NV0413TR VND7NV04-E

描述 â ???? OMNIFET IIA ???? ：全AUTOPROTECTED功率MOSFET “OMNIFET II”: FULLY AUTOPROTECTED POWER MOSFETâ ???? OMNIFET IIA ???? ：全AUTOPROTECTED功率MOSFET “OMNIFET II”: FULLY AUTOPROTECTED POWER MOSFETSTMICROELECTRONICS  VND7NV04-E  晶体管, MOSFET, N沟道, 3.5 A, 55 V, 60 mohm, 5 V, 2.5 V

数据手册 ---

制造商 ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体)

分类 FET驱动器FET驱动器MOS管

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 3 3

封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-252-3

额定功率 - - 60 W

输出接口数 1 1 1

输出电压 - - 40 V

输出电流 - - 6 A

供电电流 - - 0.1 mA

通道数 - - 1

针脚数 - - 3

漏源极电阻 60.0 mΩ 60.0 mΩ 0.06 Ω

极性 N-Channel N-Channel N-Channel

耗散功率 60 W 60000 mW 60 W

阈值电压 - - 2.5 V

漏源极电压(Vds) - - 55 V

漏源击穿电压 42 V 40.0 V 40.0 V

连续漏极电流(Ids) 6.00 A 6.00 A 6.00 A

输出电流(Max) 6 A 6 A 6 A

输出电流(Min) - - 6 A

输入数 1 1 1

工作温度(Max) - - 150 ℃

耗散功率(Max) 60000 mW 60000 mW 60000 mW

额定电压(DC) 40.0 V - -

额定电流 6.00 A - -

高度 - - 2.4 mm

封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-252-3

工作温度 -40℃ ~ 150℃ (TJ) -40℃ ~ 150℃ (TJ) -40℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tube Tape & Reel (TR) Tube

RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - - No SVHC

REACH SVHC版本 - - 2015/12/17

ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99