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VNN1NV0413TR

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“ OMNIFET II ” ：全AUTOPROTECTED功率MOSFET “OMNIFET II”: FULLY AUTOPROTECTED POWER MOSFET

It"s easy to keep your circuit safe from high voltages with this simple low side power switch by STMicroelectronics. This charge controller has single output. It features 0.25Max Ohm switch on resistance. This device has a maximum power dissipation of 7000 mW. This device has a supply current of 0.1 mA and a minimum output current of 1.7 A. Its maximum power dissipation is 7000 mW. This product will be shipped in tape and reel packaging for quick mounting and safe delivery.

VNN1NV0413TR中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 40.0 V

额定电流 1.70 A

输出接口数 1

漏源极电阻 250 mΩ

极性 N-Channel

耗散功率 7 W

漏源击穿电压 40.0 V

连续漏极电流Ids 1.70 A

上升时间 170 ns

输出电流Max 1.7 A

输入数 1

下降时间 200 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -40 ℃

耗散功率Max 7000 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 4

封装 TO-261-4

外形尺寸

长度 6.50 mm

宽度 3.50 mm

封装 TO-261-4

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Not Recommended for New Designs

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 Non-Compliant

含铅标准 Contains Lead

海关信息

ECCN代码 EAR99

VNN1NV0413TR引脚图与封装图
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在线购买VNN1NV0413TR
型号 制造商 描述 购买
VNN1NV0413TR ST Microelectronics 意法半导体 “ OMNIFET II ” ：全AUTOPROTECTED功率MOSFET “OMNIFET II”: FULLY AUTOPROTECTED POWER MOSFET 搜索库存
替代型号VNN1NV0413TR
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号： VNN1NV0413TR

品牌： ST Microelectronics 意法半导体

封装： TO-261-4 3Pin

当前型号

“ OMNIFET II ” ：全AUTOPROTECTED功率MOSFET “OMNIFET II”: FULLY AUTOPROTECTED POWER MOSFET

当前型号

型号： VNN1NV04PTR-E

品牌： 意法半导体

封装：

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型号： VNN1NV04

品牌： 意法半导体

封装：

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