VNN1NV04、VNN1NV0413TR对比区别

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型号 VNN1NV04 VNN1NV0413TR

描述 OMNIFET II完全autoprotected功率MOSFET OMNIFET II fully autoprotected Power MOSFET“ OMNIFET II ” ：全AUTOPROTECTED功率MOSFET “OMNIFET II”: FULLY AUTOPROTECTED POWER MOSFET

数据手册 --

制造商 ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体)

分类 FET驱动器

安装方式 Surface Mount Surface Mount

封装 SOP TO-261-4

引脚数 - 4

封装 SOP TO-261-4

长度 - 6.50 mm

宽度 - 3.50 mm

产品生命周期 Unknown Not Recommended for New Designs

包装方式 Tube, Rail Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant Non-Compliant

含铅标准 Lead Free Contains Lead

额定电压(DC) - 40.0 V

额定电流 - 1.70 A

输出接口数 - 1

漏源极电阻 - 250 mΩ

极性 - N-Channel

耗散功率 - 7 W

漏源击穿电压 - 40.0 V

连续漏极电流(Ids) - 1.70 A

上升时间 - 170 ns

输出电流(Max) - 1.7 A

输入数 - 1

下降时间 - 200 ns

工作温度(Max) - 150 ℃

工作温度(Min) - -40 ℃

耗散功率(Max) - 7000 mW

工作温度 - -40℃ ~ 150℃ (TJ)

ECCN代码 - EAR99