VNN1NV0413TR、VNN1NV04PTR-E、VNN1NV04对比区别

高亮显示差异参数

型号 VNN1NV0413TR VNN1NV04PTR-E VNN1NV04

描述 “ OMNIFET II ” ：全AUTOPROTECTED功率MOSFET “OMNIFET II”: FULLY AUTOPROTECTED POWER MOSFETSTMICROELECTRONICS  VNN1NV04PTR-E  晶体管, MOSFET, N沟道, 1.7 A, 45 V, 0.25 ohm, 5 V, 500 mVOMNIFET II完全autoprotected功率MOSFET OMNIFET II fully autoprotected Power MOSFET

数据手册 ---

制造商 ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体)

分类 FET驱动器电源管理

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 4 4 -

封装 TO-261-4 TO-261-4 SOP

输出接口数 1 1 -

输出电流 - 3.5 A -

供电电流 - 0.1 mA -

针脚数 - 4 -

漏源极电阻 250 mΩ 0.25 Ω -

极性 N-Channel N-Channel -

耗散功率 7 W 7 W -

阈值电压 - 500 mV -

漏源极电压(Vds) - 45 V -

上升时间 170 ns 500 ns -

输出电流(Max) 1.7 A 1.7 A -

输出电流(Min) - 1.7 A -

输入数 1 1 -

下降时间 200 ns 600 ns -

耗散功率(Max) 7000 mW 7000 mW -

额定电压(DC) 40.0 V - -

额定电流 1.70 A - -

漏源击穿电压 40.0 V - -

连续漏极电流(Ids) 1.70 A - -

工作温度(Max) 150 ℃ - -

工作温度(Min) -40 ℃ - -

封装 TO-261-4 TO-261-4 SOP

长度 6.50 mm - -

宽度 3.50 mm - -

工作温度 -40℃ ~ 150℃ (TJ) -40℃ ~ 150℃ (TJ) -

产品生命周期 Not Recommended for New Designs Active Unknown

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tube, Rail

RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Contains Lead Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - No SVHC -

ECCN代码 EAR99 EAR99 -