VNN7NV04、VNN7NV0413TR对比区别

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型号 VNN7NV04 VNN7NV0413TR

描述 OMNIFET II完全autoprotected功率MOSFET OMNIFET II fully autoprotected Power MOSFETOMNIFET II完全autoprotected功率MOSFET OMNIFET II fully autoprotected Power MOSFET

数据手册 --

制造商 ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体)

分类 MOS管FET驱动器

引脚数 4 4

封装 SOT-223 TO-261-4

安装方式 - Surface Mount

输出接口数 1 1

耗散功率 7000 mW 7 W

输出电流(Max) 12 A 6 A

输入数 1 1

耗散功率(Max) 7000 mW 7000 mW

额定电压(DC) - 40.0 V

额定电流 - 6.00 A

供电电流 - 0.1 mA

漏源极电阻 - 60.0 mΩ

极性 - N-Channel

漏源击穿电压 - 40.0 V

连续漏极电流(Ids) - 6.00 A

上升时间 - 470 ns

输出电流(Min) - 6 A

下降时间 - 350 ns

工作温度(Max) - 150 ℃

工作温度(Min) - 40 ℃

封装 SOT-223 TO-261-4

长度 - 6.50 mm

宽度 - 3.50 mm

产品生命周期 Unknown Not Recommended for New Designs

包装方式 - Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant Non-Compliant

含铅标准 Lead Free Contains Lead

ECCN代码 EAR99 EAR99

工作温度 - -40℃ ~ 150℃ (TJ)