TN0201L
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Vishay Siliconix
分立器件
TN0201L中文资料参数规格
技术参数
漏源极电阻 1.20 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 800 mW
栅源击穿电压 ±20.0 V
连续漏极电流Ids 640 mA
封装参数
安装方式 Through Hole
封装 SOT-23-3
外形尺寸
封装 SOT-23-3
其他
产品生命周期 Obsolete
符合标准
RoHS标准 Non-Compliant
TN0201L引脚图与封装图
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在线购买TN0201L
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| TN0201L | Vishay Siliconix | Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET, | 搜索库存 |
替代型号TN0201L
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： TN0201L 品牌： Vishay Siliconix 封装： SOT-23-3 N-Channel 640mA 1.2Ω | 当前型号 | Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET, | 当前型号 |
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