BSS123TA、TN0201L、BSS123/SA对比区别
描述 DIODES INC. BSS123TA 晶体管, MOSFET, N沟道, 170 mA, 100 V, 6 ohm, 10 V, 2.2 VPower Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET,Trans MOSFET N-CH 100V 0.17A 3Pin SOT-23 T/R
数据手册 ---
制造商 Diodes (美台) Vishay Siliconix Fairchild (飞兆/仙童)
分类 MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Through Hole Surface Mount
引脚数 3 - -
封装 SOT-23-3 SOT-23-3 SOT-23
额定电压(DC) 100 V - -
额定电流 170 mA - -
针脚数 3 - -
漏源极电阻 6 Ω 1.20 Ω -
极性 N-Channel N-Channel N-CH
耗散功率 300 mW 800 mW -
阈值电压 2.2 V - -
漏源极电压(Vds) 100 V - 100 V
漏源击穿电压 100 V - -
栅源击穿电压 ±20.0 V ±20.0 V -
连续漏极电流(Ids) 170 mA 640 mA 0.17A
上升时间 8 ns - -
正向电压(Max) 1.3 V - -
输入电容(Ciss) 20pF @25V(Vds) - -
额定功率(Max) 360 mW - -
下降时间 16 ns - -
工作温度(Max) 150 ℃ - -
工作温度(Min) -55 ℃ - -
耗散功率(Max) 360mW (Ta) - -
封装 SOT-23-3 SOT-23-3 SOT-23
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) - -
产品生命周期 Active Obsolete Unknown
包装方式 Tape & Reel (TR) - -
RoHS标准 RoHS Compliant Non-Compliant -
含铅标准 Lead Free - -
REACH SVHC标准 No SVHC - -
军工级 Yes - -
REACH SVHC版本 2015/12/17 - -