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2N7002、TN0201L、2N7002-E3对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 2N7002 TN0201L 2N7002-E3

描述 2N7002 系列 60 V 5 Ohms N沟道 增强模式 场效应晶体管 SOT-23Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET,2N7002 Series N-Channel 60V 7.5Ω 0.2W Surface Mount Mosfet - SOT-23-3

数据手册 ---

制造商 ON Semiconductor (安森美) Vishay Siliconix Vishay Siliconix

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Through Hole Surface Mount

引脚数 3 - 3

封装 SOT-23-3 SOT-23-3 SOT-23-3

针脚数 3 - -

漏源极电阻 1.2 Ω 1.20 Ω 13.5 Ω

耗散功率 200 mW 800 mW 0.2 W

阈值电压 2.1 V - 2.1 V

漏源极电压(Vds) 60 V - 60 V

输入电容(Ciss) 20pF @25V(Vds) - 50pF @25V(Vds)

额定功率(Max) 200 mW - 200 mW

工作温度(Max) 150 ℃ - 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ - -55 ℃

耗散功率(Max) 200 mW - 200mW (Ta)

极性 - N-Channel N-Channel

栅源击穿电压 - ±20.0 V ±20.0 V

连续漏极电流(Ids) - 640 mA 115 mA

输入电容 - - 22pF @25V

漏源击穿电压 - - 60.0 V

长度 2.92 mm - -

宽度 1.3 mm - -

高度 0.93 mm - -

封装 SOT-23-3 SOT-23-3 SOT-23-3

工作温度 -55℃ ~ 150℃ - -55℃ ~ 150℃

产品生命周期 Active Obsolete Obsolete

包装方式 Tape & Reel (TR) - Cut Tape (CT)

RoHS标准 RoHS Compliant Non-Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free - Lead Free

REACH SVHC标准 - - No SVHC

REACH SVHC版本 - - 2014/12/17