TLV3542IDGKR
TI(德州仪器)
电子元器件分类
TLV3542IDGKR中文资料参数规格
技术参数
供电电流 5.2 mA
电路数 2
共模抑制比 56 dB
增益频宽积 100 MHz
输入补偿电压 2 mV
输入偏置电流 3 pA
工作温度Max 125 ℃
工作温度Min -40 ℃
3dB带宽 200 MHz
共模抑制比Min 56 dB
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 8
封装 VSSOP-8
外形尺寸
高度 0.95 mm
封装 VSSOP-8
物理参数
工作温度 -40℃ ~ 125℃
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 无铅
TLV3542IDGKR引脚图与封装图 
TLV3542IDGKR引脚图
TLV3542IDGKR封装图
TLV3542IDGKR封装焊盘图
在线购买TLV3542IDGKR
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| TLV3542IDGKR | TI 德州仪器 | 双通道 200MHz RRIO CMOS 运算放大器 8-VSSOP -40 to 125 | 搜索库存 |
替代型号TLV3542IDGKR
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： TLV3542IDGKR 品牌： TI 德州仪器 封装： VSSOP | 当前型号 | 双通道 200MHz RRIO CMOS 运算放大器 8-VSSOP -40 to 125 | 当前型号 |
| 型号： TLV3542IDGKT 品牌： 德州仪器 封装： VSSOP | 完全替代 | 运算放大器, RRIO, 2个放大器, 200 MHz, 150 V/µs, 2.5V 至 5.5V, VSSOP, 8 引脚 | TLV3542IDGKR和TLV3542IDGKT的区别 |