TND525SS-TL-2H中文资料参数规格
技术参数
无卤素状态 Halogen Free
工作温度Max 125 ℃
工作温度Min -40 ℃
电源电压 10V ~ 20V
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 8
封装 SOIC-8
外形尺寸
高度 1.38 mm
封装 SOIC-8
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
制造应用 通用
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
TND525SS-TL-2H引脚图与封装图 
TND525SS-TL-2H引脚图
TND525SS-TL-2H封装图
TND525SS-TL-2H封装焊盘图
在线购买TND525SS-TL-2H
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| TND525SS-TL-2H | ON Semiconductor 安森美 | 优秀的功率器件半桥驱动器，单SOIC8 Excellent Power Device Half-bridge Drive, Single SOIC8 | 搜索库存 |
替代型号TND525SS-TL-2H
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： TND525SS-TL-2H 品牌： ON Semiconductor 安森美 封装： | 当前型号 | 优秀的功率器件半桥驱动器，单SOIC8 Excellent Power Device Half-bridge Drive, Single SOIC8 | 当前型号 |
| 型号： NCP5106BDR2G 品牌： 安森美 封装： SOIC 10V 8Pin | 完全替代 | MOSFET驱动器 | TND525SS-TL-2H和NCP5106BDR2G的区别 |
| 型号： NCP5106BPG 品牌： 安森美 封装： Through 10V 8Pin | 功能相似 | MOSFET & IGBT 驱动器，ON Semiconductor### MOSFET & IGBT 驱动器，ON Semiconductor | TND525SS-TL-2H和NCP5106BPG的区别 |