HUF75329P3、STP55NE06、RFP50N05对比区别
型号 HUF75329P3 STP55NE06 RFP50N05
描述 49A ， 55V ， 0.024 Ohm的N通道UltraFET功率MOSFET 49A, 55V, 0.024 Ohm, N-Channel UltraFET Power MOSFETsN - 沟道增强型单一特征尺寸功率MOSFET N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE SINGLE FEATURE SIZE POWER MOSFETN沟道 50V 50A
数据手册 ---
制造商 Fairchild (飞兆/仙童) ST Microelectronics (意法半导体) Harris
分类 MOS管MOS管
安装方式 Through Hole Through Hole -
引脚数 3 - -
封装 TO-220-3 TO-220 TO-220AB
额定电压(DC) 55.0 V - -
额定电流 49.0 A - -
漏源极电阻 26.0 mΩ 19.0 mΩ -
极性 N-Channel N-Channel -
耗散功率 128W (Tc) 130 W -
漏源极电压(Vds) 55 V - -
漏源击穿电压 55.0 V 60.0 V -
栅源击穿电压 ±20.0 V ±20.0 V -
连续漏极电流(Ids) 49.0 A 55.0 A -
输入电容(Ciss) 1060pF @25V(Vds) - -
额定功率(Max) 128 W - -
耗散功率(Max) 128W (Tc) - -
封装 TO-220-3 TO-220 TO-220AB
工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) - -
产品生命周期 Unknown Unknown Obsolete
包装方式 Tube Tube -
RoHS标准 RoHS Compliant Non-Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free - Lead Free
ECCN代码 EAR99 - -