极性 N-Channel
耗散功率 5W Tc
漏源极电压Vds 30 V
输入电容Ciss 2385pF @25VVds
耗散功率Max 5W Tc
安装方式 Surface Mount
引脚数 8
封装 SO-8
封装 SO-8
工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准
含铅标准 无铅
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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SQ4410EY-T1_GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 30V 15A 8SOIC | 搜索库存 |
图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
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型号: SQ4410EY-T1_GE3 品牌: Vishay Siliconix 封装: SOT N-Channel | 当前型号 | MOSFET N-CH 30V 15A 8SOIC | 当前型号 | |
型号: SIR168DP-T1-GE3 品牌: Vishay Siliconix 封装: PowerPAK N-Channel 30V 40A | 类似代替 | Mosfet n-Ch 30V 40A Ppak So-8 | SQ4410EY-T1_GE3和SIR168DP-T1-GE3的区别 | |
型号: SI5980DU-T1-GE3 品牌: Vishay Siliconix 封装: PowerPAKR | 功能相似 | MOSFET 100V 2.5A 7.8W 0.567Ω @ 10V | SQ4410EY-T1_GE3和SI5980DU-T1-GE3的区别 | |
型号: SI2305ADS-T1-E3 品牌: Vishay Siliconix 封装: SOT-23-3 | 功能相似 | MOSFET 8V 4.1A 1.7W 40mohm @ 4.5V | SQ4410EY-T1_GE3和SI2305ADS-T1-E3的区别 |