SIR168DP-T1-GE3、SQ4410EY-T1_GE3、SI2305ADS-T1-GE3对比区别

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型号 SIR168DP-T1-GE3 SQ4410EY-T1_GE3 SI2305ADS-T1-GE3

描述 Mosfet n-Ch 30V 40A Ppak So-8MOSFET N-CH 30V 15A 8SOICMOSFET 8V 4.1A 1.7W 40mohms @ 4.5V

数据手册 ---

制造商 Vishay Siliconix Vishay Siliconix Vishay Siliconix

分类 MOS管MOS管MOS管

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 8 8 3

封装 SO-8 SO-8 SOT-23-3

极性 N-Channel N-Channel P-Channel

耗散功率 5W (Ta), 34.7W (Tc) 5W (Tc) 960mW (Ta), 1.7W (Tc)

漏源极电压(Vds) 30 V 30 V 8 V

输入电容(Ciss) 2040pF @15V(Vds) 2385pF @25V(Vds) 740pF @4V(Vds)

耗散功率(Max) 5W (Ta), 34.7W (Tc) 5W (Tc) 960mW (Ta), 1.7W (Tc)

连续漏极电流(Ids) 40.0 A - -4.10 A

封装 SO-8 SO-8 SOT-23-3

长度 - - 2.9 mm

宽度 - - 1.6 mm

高度 - - 1.45 mm

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ) -50℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active Obsolete

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free 无铅 Lead Free