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SI2305ADS-T1-E3、SQ4410EY-T1_GE3、SI2305CDS-T1-GE3对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 SI2305ADS-T1-E3 SQ4410EY-T1_GE3 SI2305CDS-T1-GE3

描述 MOSFET 8V 4.1A 1.7W 40mohm @ 4.5VMOSFET N-CH 30V 15A 8SOICVISHAY SI2305CDS-T1-GE3 MOSFET Transistor, P Channel, -5.8A, -8V, 0.028Ω, -4.5V, -1V

数据手册 ---

制造商 Vishay Siliconix Vishay Siliconix Vishay Siliconix

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

封装 SOT-23-3 SO-8 SOT-23-3

引脚数 - 8 -

耗散功率 960mW (Ta), 1.7W (Tc) 5W (Tc) 960mW (Ta), 1.7W (Tc)

漏源极电压(Vds) 8 V 30 V 8 V

输入电容(Ciss) 740pF @4V(Vds) 2385pF @25V(Vds) 960pF @4V(Vds)

耗散功率(Max) 960mW (Ta), 1.7W (Tc) 5W (Tc) 960mW (Ta), 1.7W (Tc)

极性 - N-Channel -

长度 2.9 mm - -

宽度 1.6 mm - -

高度 1.45 mm - -

封装 SOT-23-3 SO-8 SOT-23-3

工作温度 -50℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Obsolete Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free 无铅 Lead Free