SI5456DU-T1-GE3
数据手册.pdf
Vishay Siliconix
分立器件
SI5456DU-T1-GE3中文资料参数规格
技术参数
耗散功率 3.1W Ta, 31W Tc
漏源极电压Vds 20 V
输入电容Ciss 1200pF @10VVds
耗散功率Max 3.1W Ta, 31W Tc
封装参数
安装方式 Surface Mount
封装 PowerPak-8
外形尺寸
封装 PowerPak-8
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Unknown
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
SI5456DU-T1-GE3引脚图与封装图
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| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| SI5456DU-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 20V 12A PPAK CHIPFET | 搜索库存 |
替代型号SI5456DU-T1-GE3
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
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