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SI5456DU-T1-GE3、SI5482DU-T1-E3、SI5418DU-T1-GE3对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 SI5456DU-T1-GE3 SI5482DU-T1-E3 SI5418DU-T1-GE3

描述 MOSFET N-CH 20V 12A PPAK CHIPFETMOSFET N-CH 30V 12A PPAK CHIPFETMOSFET N-CH 30V 12A PPAK CHIPFET

数据手册 ---

制造商 Vishay Siliconix Vishay Siliconix Vishay Siliconix

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

封装 PowerPak-8 - -

引脚数 - - 8

耗散功率 3.1W (Ta), 31W (Tc) 3.1W (Ta), 31W (Tc) 3.1W (Ta), 31W (Tc)

漏源极电压(Vds) 20 V 30 V 30.0 V

输入电容(Ciss) 1200pF @10V(Vds) 1610pF @15V(Vds) 1350pF @15V(Vds)

耗散功率(Max) 3.1W (Ta), 31W (Tc) 3.1W (Ta), 31W (Tc) 3.1W (Ta), 31W (Tc)

极性 - - N-Channel

连续漏极电流(Ids) - - 12.0 A

封装 PowerPak-8 - -

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Unknown Obsolete Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free