SI5418DU-T1-GE3、SI5456DU-T1-GE3、SI5480DU-T1-GE3对比区别

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型号 SI5418DU-T1-GE3 SI5456DU-T1-GE3 SI5480DU-T1-GE3

描述 MOSFET N-CH 30V 12A PPAK CHIPFETMOSFET N-CH 20V 12A PPAK CHIPFETMOSFET N-CH 30V 12A PPAK CHIPFET

数据手册 ---

制造商 Vishay Siliconix Vishay Siliconix Vishay Siliconix

分类 MOS管MOS管MOS管

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

封装 - PowerPak-8 -

引脚数 8 - -

耗散功率 3.1W (Ta), 31W (Tc) 3.1W (Ta), 31W (Tc) 3.1W (Ta), 31W (Tc)

漏源极电压(Vds) 30.0 V 20 V 30 V

输入电容(Ciss) 1350pF @15V(Vds) 1200pF @10V(Vds) 1230pF @15V(Vds)

耗散功率(Max) 3.1W (Ta), 31W (Tc) 3.1W (Ta), 31W (Tc) 3.1W (Ta), 31W (Tc)

极性 N-Channel - N-Channel

连续漏极电流(Ids) 12.0 A - 12.0 A

封装 - PowerPak-8 -

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Unknown Obsolete

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free