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BCR116S、SEMH9、SEMH13对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 BCR116S SEMH9 SEMH13

描述 BCR116S NPN+NPN复合带阻尼三极管 50V 100mA 70 250mW/0.25W SOT-363/SC-88/SC70-6 标记WG 开关电路 逆变器 接口电路 驱动电路NPN硅晶体管数字 NPN Silicon Digital TransistorNPN硅晶体管数字 NPN Silicon Digital Transistor

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)

分类

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

封装 SOT-363-6 SOT-666 SOT-666

极性 NPN NPN NPN

击穿电压(集电极-发射极) 50 V 50 V 50 V

集电极最大允许电流 100mA 100mA 100mA

耗散功率(Max) 250 mW - -

封装 SOT-363-6 SOT-666 SOT-666

产品生命周期 End of Life Obsolete Obsolete

包装方式 Tape & Reel (TR) - -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free - -