SM8S33AHE3_A/I
数据手册.pdfVishay Semiconductor(威世)
电子元器件分类
SM8S33AHE3_A/I中文资料参数规格
技术参数
脉冲峰值功率 6600 W
最小反向击穿电压 36.7 V
封装参数
安装方式 Surface Mount
封装 DO-218AB
外形尺寸
封装 DO-218AB
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
制造应用 汽车级
符合标准
RoHS标准 RoHS-conform
含铅标准 Lead Free
SM8S33AHE3_A/I引脚图与封装图
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在线购买SM8S33AHE3_A/I
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| SM8S33AHE3_A/I | Vishay Semiconductor 威世 | ESD抑制器/TVS二晶體 8W,33V 5%,SMD PAR AEC-Q101 Qualified | 搜索库存 |
替代型号SM8S33AHE3_A/I
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： SM8S33AHE3_A/I 品牌： Vishay Semiconductor 威世 封装： | 当前型号 | ESD抑制器/TVS二晶體 8W,33V 5%,SMD PAR AEC-Q101 Qualified | 当前型号 |
| 型号： SM8S33HE3/2D 品牌： 威世 封装： DO-218AB | 完全替代 | TVS 8W 33V 10% DO-218AB | SM8S33AHE3_A/I和SM8S33HE3/2D的区别 |
| 型号： SM8S33AHE3/2D 品牌： 威世 封装： DO-218AB | 类似代替 | VISHAY SM8S33AHE3/2D 二极管, TVS, 单向单通道, DO-218AB | SM8S33AHE3_A/I和SM8S33AHE3/2D的区别 |