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SM8S33HE3/2D、SM8S33AHE3_A/I对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 SM8S33HE3/2D SM8S33AHE3_A/I

描述 TVS 8W 33V 10% DO-218ABESD抑制器/TVS二晶體 8W,33V 5%,SMD PAR AEC-Q101 Qualified

数据手册 --

制造商 Vishay Semiconductor (威世) Vishay Semiconductor (威世)

分类 TVS二极管电流滤波器件

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount

封装 DO-218AB DO-218AB

脉冲峰值功率 6600 W 6600 W

最小反向击穿电压 36.7 V 36.7 V

长度 13.7 mm -

封装 DO-218AB DO-218AB

工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)

产品生命周期 Obsolete Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS-conform

含铅标准 Lead Free Lead Free