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SM8S33AHE3_A/I、SM8S33AHE3/2D、SM8S33HE3/2D对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 SM8S33AHE3_A/I SM8S33AHE3/2D SM8S33HE3/2D

描述 ESD抑制器/TVS二晶體 8W,33V 5%,SMD PAR AEC-Q101 QualifiedVISHAY  SM8S33AHE3/2D  二极管, TVS, 单向单通道, DO-218ABTVS 8W 33V 10% DO-218AB

数据手册 ---

制造商 Vishay Semiconductor (威世) Vishay Semiconductor (威世) Vishay Semiconductor (威世)

分类 电流滤波器件TVS二极管TVS二极管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

封装 DO-218AB DO-218AB DO-218AB

引脚数 - 2 -

脉冲峰值功率 6600 W 6.6 kW 6600 W

最小反向击穿电压 36.7 V 36.7 V 36.7 V

针脚数 - 2 -

耗散功率 - 8.00 W -

钳位电压 - 53.3 V -

测试电流 - 5 mA -

最大反向击穿电压 - 40.6 V -

工作温度(Max) - 175 ℃ -

工作温度(Min) - -55 ℃ -

工作结温 - -55℃ ~ 175℃ -

封装 DO-218AB DO-218AB DO-218AB

长度 - 13.7 mm 13.7 mm

宽度 - 8.7 mm -

高度 - 4.6 mm -

工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ -55℃ ~ 175℃ (TJ)

产品生命周期 Active Obsolete Obsolete

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS-conform RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free