SI1965DH-T1-E3、SI1965DH-T1-GE3、SI1917EDH-T1-E3对比区别

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型号 SI1965DH-T1-E3 SI1965DH-T1-GE3 SI1917EDH-T1-E3

描述 MOSFET 2P-CH 12V 1.3A SC70-6MOSFET 12V 1.3A 1.25W 390mohm @ 4.5VMOSFET 2P-CH 12V 1A SC70-6

数据手册 ---

制造商 Vishay Siliconix Vishay Siliconix Vishay Siliconix

分类 MOS管MOS管MOS管

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

封装 SC-70-6 SC-70-6 SC-70-6

漏源极电阻 - - 0.37 Ω

漏源极电压(Vds) 12 V 12 V 12 V

额定功率(Max) 1.25 W 1.25 W 570 mW

输入电容(Ciss) 120pF @6V(Vds) 120pF @6V(Vds) -

耗散功率 - 740 mW -

阈值电压 - 1 V -

工作温度(Max) - 150 ℃ -

工作温度(Min) - -55 ℃ -

封装 SC-70-6 SC-70-6 SC-70-6

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active Obsolete

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free