SI5902DC-T1-E3
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Vishay Siliconix
分立器件
SI5902DC-T1-E3中文资料参数规格
技术参数
漏源极电阻 0.085 Ω
极性 Dual N-Channel
耗散功率 1.1 W
漏源极电压Vds 30 V
漏源击穿电压 30 V
栅源击穿电压 ±20.0 V
连续漏极电流Ids 2.90 A
热阻 90℃/W RθJA
额定功率Max 1.1 W
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 8
封装 SMD-8
外形尺寸
长度 3.1 mm
高度 1.1 mm
封装 SMD-8
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
SI5902DC-T1-E3引脚图与封装图
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在线购买SI5902DC-T1-E3
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| SI5902DC-T1-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET DUAL N-CH 30V 2.9A 1206-8 | 搜索库存 |
替代型号SI5902DC-T1-E3
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： SI5902DC-T1-E3 品牌： Vishay Siliconix 封装： 8-SMD Dual N-Channel 30V 2.9A 85mΩ | 当前型号 | MOSFET DUAL N-CH 30V 2.9A 1206-8 | 当前型号 |
| 型号： SI5902BDC-T1-GE3 品牌： Vishay Siliconix 封装： 8-SMD Dual N-Channel | 类似代替 | SI5902BDC-T1-GE3 Dual N-channel MOSFET Transistor, 3.7A, 30V, 8Pin 1206 ChipFET | SI5902DC-T1-E3和SI5902BDC-T1-GE3的区别 |
| 型号： SI5902DC-T1 品牌： Vishay Siliconix 封装： | 功能相似 | Small Signal Field-Effect Transistor, 2.9A ID, 30V, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, 1206-8, CHIPFET-8 | SI5902DC-T1-E3和SI5902DC-T1的区别 |